| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR LATERAL INTEGRE ET CIRCUIT INTEGRE LE COMPRENANT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2592525(B1) |
申请公布日期 |
1988.02.12 |
| 申请号 |
FR19850019479 |
申请日期 |
1985.12.31 |
| 申请人 |
RADIOTECHNIQUE COMPELEC |
发明人 |
BERTRAND JACQUES ET PIERRE LEDUC;LEDUC PIERRE |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/732;H01L29/735;(IPC1-7):H01L29/06;H01L29/72 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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