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发明名称 PROCESSO PER LA FABBRICAZIONE DI TRANSISTORI AD EFFETTO DI CAMPO A GATE ISOLATO CON GIUNZIONI A PROFONDITA' NULLA MEDIANTE PLANARIZZAZIONE
摘要
申请公布号 IT1189976(B) 申请公布日期 1988.02.10
申请号 IT19860019511 申请日期 1986.02.21
申请人 SGS MICROELETTRONICA SPA 发明人 POLIGNANO MARIA LUISA
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L29/08;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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