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发明名称 MANUFACTURE OF JUNCTION TYPE FIELDEFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS635572(A) 申请公布日期 1988.01.11
申请号 JP19860150373 申请日期 1986.06.25
申请人 NEC CORP 发明人 IMOTO YASUMASA
分类号 H01L29/808;H01L21/337;H01L29/80 主分类号 H01L29/808
代理机构 代理人
主权项
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