| 摘要 |
<p>L'invention concerne la programmation des mémoires mortes électriquement programmables (EPROM, EEPROM) réalisées en circuit intégré. Pour optimiser le processus de programmation des informations on prévoit deux étapes, la première étape est une étape de programmation classique mais courte, destinée à mémoriser les informations pendant une durée relativement courte ; la deuxième étape est une surprogrammation plus longue mais effectuée de manière interne au circuit intégré, c'est-à-dire que les informations sont lues en mémoire et réinscrites aux mêmes endroits sans qu'il y ait besoin d'appliquer à nouveau ces informations aux entrées du circuit intégré.</p> |
