| 摘要 |
<p><P>PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, INCLUANT LE DEPOT EN PHASE VAPEUR DE COUCHES SUR UN SUBSTRAT, DANS LA CHAMBRE D'UN REACTEUR, CARACTERISE EN CE QU'UN GAZ VECTEUR ET UN GAZ REACTANT SONT INTRODUITS DANS LA CHAMBRE DU REACTEUR AU MOYEN D'UN SYSTEME DE TROIS TUBES COAXIAUX, UN TUBE INTERNE, UN TUBE INTERMEDIAIRE, ET UN TUBE EXTERNE, TUBES DONT LES PREMIERES EXTREMITES SONT INDEPENDANTES, MAIS DONT LES SECONDES EXTREMITES SITUEES A PROXIMITE LES UNES DES AUTRES FORMENT LA VANNE QUI CONTROLE L'INTRODUCTION DANS LA ZONE CHAUDE DU REACTEUR DU GAZ REACTANT MELE A UN GAZ VECTEUR. A CET EFFET LA SECONDE EXTREMITE DU TUBE INTERNE DEBOUCHE DANS LE TUBE INTERMEDIAIRE, LA SECONDE EXTREMITE DU TUBE INTERMEDIAIRE, MUNIE D'UNE RESTRICTION, DEBOUCHE DANS LE TUBE EXTERNE, LA SECONDE EXTREMITE DU TUBE EXTERNE, MUNIE D'UNE RESTRICTION, DEBOUCHE DANS LA CHAMBRE DU REACTEUR A PROXIMITE DE LA ZONE CHAUDE ET LA PREMIERE EXTREMITE DU TUBE INTERMEDIAIRE EST MUNIE D'UNE VANNE V.</P><P>APPLICATION: REALISATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS DU GROUPE III-V.</P></p> |
