| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 含非晶Pin或niP型半导体器件，其中至少一界面层是由电阻率高于邻接界面层半导体的半导体或绝缘体制成。该界面层在半导体层间或在半导体和电极间；在P/i或n/i结界面处P型或n型层中掺杂量最小，在趋向于P/i电极结界面或n/i电极结界面方向上逐渐上升；或有较高杂质密度P型半导体层和/或有较高杂质密度的n型半导体层是在P型半导体层和P型半导体层同侧电极间，和/或在n型半导体层和n型半导体层同侧电极间。 | ||
| 申请公布号 | CN86106353A | 申请公布日期 | 1987.12.02 |
| 申请号 | CN86106353 | 申请日期 | 1986.11.05 |
| 申请人 | 钟渊化学工业株式会社 | 发明人 | 山岸英雄;近藤正隆;西村国夫;广江昭彦;浅冈圭三;津下和永;太和田善久;山口美则 |
| 分类号 | H01L31/04;H10L25/02 | 主分类号 | H01L31/04 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 赵越 |
| 主权项 | 1、一半导体器件包括一个含有非晶半导体Pin型层或niP型层及至少两个电极，其特征在于，至少一个界面层是由半导体构成，或由具有比邻接界面层的半导体的电阻率高的半导体或绝缘体构成，该界面层是处于半导体层之间或处于半导体和电极之间。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||