| 发明名称 |
MEMOIRE SEMI-CONDUCTRICE RAPIDE, A GRANDE DENSITE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2381373(B1) |
申请公布日期 |
1987.11.06 |
| 申请号 |
FR19780004914 |
申请日期 |
1978.02.21 |
| 申请人 |
ZAIDAN HOJIN HANDOTAI KENKYU SHI |
发明人 |
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| 分类号 |
G11C11/35;G11C11/404;G11C13/04;H01L27/102;H01L29/772;(IPC1-7):G11C11/34 |
主分类号 |
G11C11/35 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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