| 发明名称 |
Wet chemical etching of crxsiynz |
| 摘要 |
Thin films of chromium/silicon/nitrogen are etched in a solution of HF, H2O2, HCl, and H2O.
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| 申请公布号 |
US4704188(A) |
申请公布日期 |
1987.11.03 |
| 申请号 |
US19830564793 |
申请日期 |
1983.12.23 |
| 申请人 |
HONEYWELL INC. |
发明人 |
CARLSON, ROBERT J.;SHELBURNE, PAULETTE S. |
| 分类号 |
C23F1/26;H01C17/075;H01L21/02;H01L21/311;(IPC1-7):B44C1/22 |
主分类号 |
C23F1/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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