发明名称 氧化锡薄膜气敏元件
摘要 在氧化锡薄膜气敏元件中,用CuK作为射线源进行气体检测表面的单晶取向性和结晶性的X线衍射时,设其最强衍射线强度为I<SUB>1</SUB>,第二、第三、第四和第五强的衍射线强度分别为I<SUB>2</SUB>、I<SUB>3</SUB>、I<SUB>4</SUB>和I<SUB>5</SUB>,此时,这些衍射线强度的两者或三者之间有一种特定的数值关系,而且最强衍射线强度的半值宽度大于某一特定值。
申请公布号 CN86102281A 申请公布日期 1987.10.14
申请号 CN86102281 申请日期 1986.04.05
申请人 大阪瓦斯株式会社 发明人 松本毅;冈田治;中村裕司
分类号 G01N27/12;H01L49/00 主分类号 G01N27/12
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 肖春京
主权项 1、氧化锡薄膜气敏元件的特征如下:在氧化锡薄膜气敏元件中,用CuK作为射线源对气体检测表面的单晶取向性和结晶性作X线衍射时,设最强衍射线强度为I1,第二、第三、第四和第五强的衍射线强度分别为I2、I3、I4和I5,这时(a)(211)面或者(110)面的线强度最强,I2/I1≤0.6,I1的半值宽度大于0.58;或者(b)I1是(110)面或(101)面的线强度,I2为(101)面或(110)面的线强度。I2/I1≥0.5,I3/I2<0.6,I1的半值宽度大于0.54;或者(c)I1是(110)面或者(211)面的线强度,I2是(101)面或(110)面的线强度,I2/I1≥0.5,I3/I2<0.6,I1的半值宽度大于0.58;或者(d)I1、I2、和I3分别为(110)面、(101)面和(211)面的任何一面的线强度,I3/I1≥0.5,I4/I3<0.6,I1的半值宽度大于0.61;或者(e)I1、I2、I3和I4分别为(110)面、(101)面、(211)面和(301)面中任一面的线强度,I4/I1≥0.5,I5/I4<0.6,I1的半值宽度大于0.73;或者(f)I1为(301)面的线强度,I2/I1≤0.6,I1的半值宽度大于0.60;或者(g)I1为(211)面或(301)面的线强度,I2为(301)面或(211)面的线强度,I2/I1≥0.5,I3/I2<0.6,I1的半值宽度大于0.3。
地址 日本大阪府大阪市东区平野町5丁目1番地