发明名称 |
MESFET logic using integral diode level shifting |
摘要 |
A semiconductor logic circuit utilizing level shifting of input transistors away from a reference voltage level but shifting the output toward the reference voltage level to increase noise margin. The input signals may switch both the input transistors and the output transistors.
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申请公布号 |
US4698524(A) |
申请公布日期 |
1987.10.06 |
申请号 |
US19860886596 |
申请日期 |
1986.07.16 |
申请人 |
HONEYWELL INC. |
发明人 |
PLAGENS, MARK R. |
分类号 |
A61K8/67;A61Q19/00;A61Q19/08;H03K19/003;H03K19/0952;(IPC1-7):H03K19/094;H03K19/092;H03K19/02 |
主分类号 |
A61K8/67 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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