发明名称 | 双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶液生长 | ||
摘要 | 双掺单畴热释电晶体ATGSA<SUB>s</SUB>的水溶液生长,属于溶液降温生长晶体的技术领域。将甘氨酸,硫酸,L—丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中,装入生长瓶。在单畴性好的ATGSAs或ATGS上切取片状晶种,用夹具固定,沿(010)面推移生长。周期40天左右。本发明方法简便,安全,效果良好,宜于推广应用。 | ||
申请公布号 | CN86101972A | 申请公布日期 | 1987.09.30 |
申请号 | CN86101972 | 申请日期 | 1986.03.22 |
申请人 | 山东大学 | 发明人 | 房昌水;王民;张克从 |
分类号 | C30B25/54;C30B7/08 | 主分类号 | C30B25/54 |
代理机构 | 山东大学专利事务所 | 代理人 | 孙君 |
主权项 | 1、双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶液生长,以甘氨酸与硫酸为原料,掺杂少量L-丙氨酸,用水溶液降温生长,本发明的特征在于,用砷酸部分取代硫酸,生成TGS系列双掺晶体ATGSAs采用单面生长技术,进行ATGSAs大单晶的生长。 | ||
地址 | 山东省济南市郊区洪家楼5号 |