发明名称 双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶液生长
摘要 双掺单畴热释电晶体ATGSA<SUB>s</SUB>的水溶液生长,属于溶液降温生长晶体的技术领域。将甘氨酸,硫酸,L—丙氨酸和砷酸按比例溶于一定体积的蒸馏水中,装入生长瓶。在单畴性好的ATGSAs或ATGS上切取片状晶种,用夹具固定,沿(010)面推移生长。周期40天左右。本发明方法简便,安全,效果良好,宜于推广应用。
申请公布号 CN86101972A 申请公布日期 1987.09.30
申请号 CN86101972 申请日期 1986.03.22
申请人 山东大学 发明人 房昌水;王民;张克从
分类号 C30B25/54;C30B7/08 主分类号 C30B25/54
代理机构 山东大学专利事务所 代理人 孙君
主权项 1、双掺单畴热释电晶体ATGSAs的水溶液生长,以甘氨酸与硫酸为原料,掺杂少量L-丙氨酸,用水溶液降温生长,本发明的特征在于,用砷酸部分取代硫酸,生成TGS系列双掺晶体ATGSAs采用单面生长技术,进行ATGSAs大单晶的生长。
地址 山东省济南市郊区洪家楼5号