| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une mémoire dynamique. La tension du point chaud (A) de la capacité de stockage (CS) est portée à une valeur telle que toutes les cellules (C) comportent la même valeur logique, grâce à un générateur de potentiel (GP). On peut ainsi écrire et lire à grande vitesse des champs de bits sur une mémoire de grande capacité. Application aux mémoires d'image et au test de fabrication.</p> |
