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Als Sourcefolger betriebene MOSFET können mit einer Spannungsverdopplerschaltung angesteuert werden, die eine Reihenschaltung zweier zwischen einem Pol der Betriebsspannungsquelle und der Gatezuleitung liegenden Dioden (D 1, D 2) und einen Kondensator (C) enthält, dessen einer Anschluß zwischen den Dioden angeschlossen ist und dessen anderem Anschluß eine getaktete Gleichspannung zugeführt wird. Die erste Diode (D 2) wird durch einen lateralen MOSFET (8, 10, 11, 12) gebildet, dessen Gateelektrode mit dem Drainanschluß verbunden ist. Die zweite Diode (D 1) wird durch einen vertikalen Bipolartransistor (5, 9, 13) mit niedriger Stromverstärkung gebildet. Zwischen Emitterzone (13) und Sourcezone (11) liegt ein Widerstand (R 2).
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