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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE, IN WHICH PATTERNS ARE FORMED IN A LAYER OF SILLICON NITRIDE BY MEANS OF ION IMPLANTATION
摘要
申请公布号 EP0122662(B1) 申请公布日期 1987.09.09
申请号 EP19840200471 申请日期 1984.04.04
申请人 N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN 发明人 VAN OMMEN, ALFRED HENDRIK;MAAS, HENRICUS GODEFRIDUS RAFAEL;APPELS, JOHANNES ARNOLDUS;JOSQUIN, WILHELMUS JACOBUS MARIA
分类号 H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3115;(IPC1-7):H01L21/31 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
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