SELECTIVELY DOPING ISOLATION TRENCHES UTILIZED IN CMOS DEVICES.

摘要

Afin de réaliser des tranchées d'isolation remplies de diélectriques plus efficaces dans les dispositifs à circuits intégrés CMOS, une partie de la surface des tranchées est masquée et un dopant est introduit dans la partie à surface non masquée pour améliorer ou accroître son niveau de dopage. Le masque est ensuite enlevé et un dopant de conductivité de type opposé est introduit dans toutes les surfaces des tranchées. Les niveaux de dopage sont sélectionnés de sorte que les concentrations de dopage résultantes des parties de surface des tranchées sont améliorées en comparaison avec leurs niveaux de dopage originaux, afin d'empêcher l'inversion du type de conductivité des parties de surface pendant le fonctionnement du dispositif.