Apparatus for forming a melt of semiconductor material for growing a crystal element.

摘要

Il comporte un récipient d'alimentation (10) dont le fond est muni d'une ouverture (14), des moyens d'alimentation (15 à 17) du récipient (10) en silicium solide et des moyens de chauffage (11 à 13) du récipient, celui-ci étant placé au dessus d'un creuset (1) contenant le bain (8) pour que le silicium liquide du récipient (10) s'écoule par l'ouverture (14) dans le creuset (1) lorsque le niveau (h) de silicium liquide dans le récipient atteint une valeur maximale (20), cet écoulement s'arrêtant lorsque le niveau (h) est descendu à une valeur minimale (22). Application au dépôt d'une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone.