发明名称 Manufacture of polycrystalline silicon
摘要 Process of growing polysilicon on a plurality of deposition members grouped in a double ring, i.e., an outer circle surrounding an inner circle of members.
申请公布号 US4681652(A) 申请公布日期 1987.07.21
申请号 US19800156659 申请日期 1980.06.05
申请人 ROGERS, LEO C.;HEITZ, ALFRED J. 发明人 ROGERS, LEO C.;HEITZ, ALFRED J.
分类号 C01B33/035;C23C16/24;(IPC1-7):C30B25/10 主分类号 C01B33/035
代理机构 代理人
主权项
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