发明名称 |
Manufacture of polycrystalline silicon |
摘要 |
Process of growing polysilicon on a plurality of deposition members grouped in a double ring, i.e., an outer circle surrounding an inner circle of members.
|
申请公布号 |
US4681652(A) |
申请公布日期 |
1987.07.21 |
申请号 |
US19800156659 |
申请日期 |
1980.06.05 |
申请人 |
ROGERS, LEO C.;HEITZ, ALFRED J. |
发明人 |
ROGERS, LEO C.;HEITZ, ALFRED J. |
分类号 |
C01B33/035;C23C16/24;(IPC1-7):C30B25/10 |
主分类号 |
C01B33/035 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|