| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un laser à semi-conducteur du type à renvoi réparti comprenant, l'une au-dessus de l'autre, une première couche de revêtement 2, une couche active 3, une couche de guidage 4 et une deuxième couche de revêtement 7, où un réseau 8 est disposé sur la couche de guidage, le procédé consistant à former une couche 5a d'un matériau prédéterminé sur la couche de guidage, à inciser sélectivement ladite couche de matériau et la couche de guidage jusqu'à faire apparaître au moins partiellement la couche de guidage de manière à former une ondulation 6 de forme d'onde triangulaire à la surface de la couche de matériau et de la couche de guidage, et à former la deuxième couche de revêtement 7 de manière à recouvrir ladite inégalité. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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