| 摘要 |
<p>L'invention concerne une photocathode comportant : une première couche (11) constituée d'un matériau semi-conducteur de type P<+>, transparent pour toutes les longueurs d'onde de la lumière à détecter ; une seconde couche (15, 17) constituée d'un semi-conducteur de type P<+> dont la bande interdite a une largeur suffisamment faible pour convertir en paires électron-trou les photons (8) de la lumière à détecter ; au moins une couche (16) intercalée à l'intérieur de la seconde couche (15, 17) et constituée d'un semi-conducteur de type P ou N créant une barrière de potentiel par rapport à la seconde couche (15, 17), et dont l'épaisseur est suffisamment faible pour permettre la traversée d'électrons (9) par effet tunnel avec une probabilité élevée, et suffisamment forte pour arrêter une majeure partie d'un courant de trous ; une électrode métallique (13) permettant de polariser la photocathode pour accélérer les électrons (9) des paires électron-trou créées dans la seconde couche (15, 17) par la lumière ; une dernière couche (14), pour abaisser le potentiel du vide par rapport à la seconde couche (15, 17) pour émettre dans le vide les électrons (9) ainsi accélérés. Application aux tubes de prise de vues et aux tubes intensificateurs d'images.</p> |
