| 发明名称 |
STRATI DI SILICIO POLICRISTALLINO PER DISPOSITIVO SEMICONDUTTORI |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1171797(B) |
申请公布日期 |
1987.06.10 |
| 申请号 |
IT19830023690 |
申请日期 |
1983.11.11 |
| 申请人 |
RCA CORP. |
发明人 |
WIDMER ALOIS ERHARD;HARBEKE GUENTHER;KRAUSBAUER LISELOTTE;STEIGMEIER EDGAR FELIX |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/08;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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