| 摘要 |
Transistor dans lequel des contacts métalliques étendus (35, 37) sont reliés à des zones actives sous-jacentes (5, 7) par un matériau à base de siliciure (25', 27'). Le matériau de connexion à base de siliciure est formé par le dépôt successif d'un métal (21) formant un siliciure et de silicium (25, 27) présentant un motif de contact. Le tout est chauffé jusqu'à la température de réaction pour former des contacts en siliciure (25', 27'). Un matériau diélectrique (29) à fenêtres est alors déposé et des contacts métalliques (35, 37) sont formés. |
