| 发明名称 |
Planarization method and technique for isolating semiconductor islands |
| 摘要 |
A technique for producing planarized semiconductor surfaces and for isolating semiconductor islands.
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| 申请公布号 |
US4662986(A) |
申请公布日期 |
1987.05.05 |
| 申请号 |
US19850749596 |
申请日期 |
1985.06.27 |
| 申请人 |
SIGNETICS CORPORATION |
发明人 |
LIM, SHELDON C. P. |
| 分类号 |
G03F7/00;H01L21/3105;H01L21/762;(IPC1-7):B44C1/22;B29C17/08;C03C15/00;C03C25/06 |
主分类号 |
G03F7/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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