EVALUATION ELEMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE,申请号JP19850235762-传众专利搜索

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发明名称	EVALUATION ELEMENT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPS6294950(A)	申请公布日期	1987.05.01
申请号	JP19850235762	申请日期	1985.10.21
申请人	NEC CORP	发明人	GOTO NORIO
分类号	H01L21/66;G01N27/00;H01L21/265	主分类号	H01L21/66
代理机构		代理人
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