| 发明名称 | 二氧化碲单晶体的生长技术 | ||
| 摘要 | 一种属于晶体生长技术的二氧化碲(TeO<SUB>2</SUB>)单晶体生长。其特征在于用坩埚下降法可生长多种切向和形状的单晶体。利用本技术可沿[100][001][110]方向并可沿其中任一方向生长方棒、椭圆形、菱形、板状及圆柱形晶体。所生长晶体可达(70～80)mm×(20～30)mm×100mm。本方法与一般提拉法比具有设备简单，不受提拉方向和切形限制，基本无污染等优点，而且晶体利用率可相应提高30～100％。 | ||
| 申请公布号 | CN85107803A | 申请公布日期 | 1987.04.15 |
| 申请号 | CN85107803 | 申请日期 | 1985.10.09 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 蒲芝芬;葛增伟 |
| 分类号 | C30B29/46 | 主分类号 | C30B29/46 |
| 代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 潘振甦;聂淑仪 |
| 主权项 | 1、一种属于晶体生长技术领域的生长多种切向和形状的二氧化碲(TeO2)单晶体的技术，包括原料预烧处理、冷却退火等方面，其特征在于用坩埚下降法生长多种切向和形状的TeO2晶体。 | ||
| 地址 | 上海市长宁区长宁路865号 | ||