| 发明名称 |
MANUFACTURE OF JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6273776(A) |
申请公布日期 |
1987.04.04 |
| 申请号 |
JP19850215345 |
申请日期 |
1985.09.27 |
| 申请人 |
NEC CORP |
发明人 |
ISODA YOICHI;KASAHARA KENICHI |
| 分类号 |
H01L29/808;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L29/808 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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