| 摘要 |
<P>PROCEDE DE REALISATION D'UN LASER A SEMICONDUCTEUR A RUBAN ENTERRE ET LASER OBTENU PAR CE PROCEDE.</P><P>POUR ENTERRER LE RUBAN ACTIF 76, ON GRAVE DEUX BANDES ETROITES DE PART ET D'AUTRE DU RUBAN ET L'ON EFFECTUE UNE REPRISE D'EPITAXIE LOCALISEE SUR CES DEUX BANDES ETROITES 78, CE QUI PERMET DE TRAVAILLER A PLUS BASSE TEMPERATURE. PAR AILLEURS, LE SUBSTRAT S ET LA COUCHE DE CONFINEMENT Q SONT DE TYPE P ET LA COUCHE Q DE REPRISE D'EPITAXIE EST DE TYPE N FORTEMENT DOPEE. LA COUCHE Q DE GUIDAGE PEUT ETRE GRAVEE POUR CONSTITUER UN RESEAU DE DIFFRACTION.</P><P>APPLICATION EN TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES.</P>
|
