| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET TRANSISTORS EN RESULTANT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2333348(A1) |
申请公布日期 |
1977.06.24 |
| 申请号 |
FR19760032452 |
申请日期 |
1976.10.18 |
| 申请人 |
IBM |
发明人 |
SHAKIR A. ABBAS ET ROBERT C. DOCKERTY;DOCKERTY ROBERT C |
| 分类号 |
H01L21/283;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/76;H01L21/8247;H01L29/41;H01L29/43;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/31 |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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