BURIED TYPE SEMICONDUCTOR LASER,申请号JP19850199987-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	BURIED TYPE SEMICONDUCTOR LASER
摘要
申请公布号	JPS6260283(A)	申请公布日期	1987.03.16
申请号	JP19850199987	申请日期	1985.09.09
申请人	NEC CORP	发明人	KAWANO HIDEO
分类号	H01S5/00	主分类号	H01S5/00
代理机构		代理人
主权项
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