| 发明名称 |
MANUFACTURE OF HIGH IMPURITY DENSITY COMPOUND SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPS6258611(A) |
申请公布日期 |
1987.03.14 |
| 申请号 |
JP19850198789 |
申请日期 |
1985.09.09 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
OE KUNISHIGE |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/203;H01L21/26 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
