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<P>L'INVENTION CONCERNE UN APPAREIL DE CROISSANCE EPITAXIALE PAR FAISCEAUX MOLECULAIRES.</P><P>L'APPAREIL COMPREND UNE CHAMBRE A VIDE 1, UN SUPPORT 3 DE PORTE-ECHANTILLON DISPOSE DE MANIERE A TOURNER AUTOUR DE SON AXE 4 A L'INTERIEUR DE LADITE CHAMBRE A VIDE 1, AU MOINS UN PORTE-ECHANTILLON 6 SUPPORTE PAR LEDIT SUPPORT 3 ET PLUSIEURS GROUPES 9, 10 DE SOURCES 11, 12, 13, 14, 15 DE FAISCEAUX MOLECULAIRES POUR ASSURER LA CROISSANCE EPITAXIALE DE CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS SUR UN SUBSTRAT SUPPORTE PAR LEDIT PORTE-ECHANTILLON 6, DES FAISCEAUX MOLECULAIRES PROVENANT DE CHACUN DES GROUPES 9, 10 DE SOURCES DEFAISCEAUX MOLECULAIRES 11, 12, 13, 14, 15 CONVERGEANT EN AU MOINS DEUX POINTS 16, 17 QUI SONT PLACES SUR LE TRAJET ORBITAL DU PORTE-ECHANTILLON 6.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS.</P>
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