| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制作至少包括一个支承体(1)和一个单晶半导体基体(6、7)的半导体器件的方法，其中的这两个基体至少是制备在减小体积抛光(镜面抛光)方法得到的平整光滑表面上。随后在光滑表面上制备一个电隔离层(4)，至少对半导体基体上的电隔离层进行赋能键合操作。两个基体(1；6，7)被清洗后，在无尘环境中相互接触，以获得坚固的机械接合面。然后至少在350℃进行热处理，再把半导体基体(6、7)腐蚀成一个具有介于0.05～100PM之间的预定值的薄层(7)。 | ||
| 申请公布号 | CN86105660A | 申请公布日期 | 1987.02.25 |
| 申请号 | CN86105660 | 申请日期 | 1986.06.17 |
| 申请人 | 菲利浦光灯制造公司 | 发明人 | 简·海斯马;西奥多勒斯·马蒂纳斯·米切尔森;简·艾伯塔斯·帕尔斯 |
| 分类号 | H01L21/02;H01L21/84 | 主分类号 | H01L21/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
| 主权项 | 1、一种制作至少由一个支承体和一个单晶半导体基体组成的半导体器件的方法，其中这两个基体至少由减小体积抛光(镜面抛光)方法制备而获得一个光学平滑的表面，而半导体基体的光学平滑表面具有一个电学绝缘层，在两个基体平整表面被清洗之后，在无尘环境中相互接触，以达到机械联接的目的，並随后经过至少为350℃的热处理，其特征是：在两个基体相互接触之前，至少对半导体基体上的电绝缘层施行赋能键合操作；在于两个表面间形成了一个很紧密的键合；以及在于随后将半导体基体用腐蚀方法减薄到介于0.05～100PM之间的一个预定值。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬·格陵纽沃德路1号 | ||