Process for selectively filling contact holes made by etching in insulating layers with electrically conductive materials for the manufacture of high-density integrated semiconductor circuits, and apparatus used for this process.

摘要

Kontaktlöcher (13) in Isolationsschichten (10) oder via holes (13) zu tiefer gelegenen Leitbahnebenen (11, 12) werden vollständig ohne Hohlräume (15) mit elektrisch leitenden Materialien gefüllt, wenn zunächst eine ganzflächige Beschichtung mit einem Metallsilizid (16) durch chemische Abscheidung aus der Gasphase durchgeführt wird, dann die Silizidschicht (16) auf den horizontalen Flächen des Siliziumsubstrates (10, 11, 12) durch anisotropes Ätzen wieder entfernt wird und schließlich mit dem metallisch leitenden Material (17) durch selektive chemische Abscheidung aus der Gasphase das Kontaktloch (13) wieder gefüllt wird. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung von VLSI-Schaltungen.