发明名称 具基板清洁装置之光学制程设备及其制程方法
摘要 一种基板清洁装置、包含此基板清洁装置之光学制程设备以及使用此光学制程设备之光学制程方法。光学制程设备主要包含基板清洁装置、光学制程机台及材料涂布装置。光学制程机台具有基板座,材料涂布装置较佳系设置于基板座之上方,且可相对于基板座移动。基板清洁装置主要包含出气装置及气体供应装置。出气装置系设置对应于材料涂布装置之前导端,气体供应装置与出气装置连接,并提供气体至出气装置。在材料涂布装置涂布基板座上之基板或薄膜前,基板清洁装置喷出气体至基板或薄膜上,以清洁其上之灰尘或其他影响成品品质之粒子。
申请公布号 TWI268814 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW095101316 申请日期 2006.01.13
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 李丰仲;李文彬
分类号 B08B5/04(2006.01) 主分类号 B08B5/04(2006.01)
代理机构 代理人 李贞仪 台北市大安区仁爱路4段376号8楼之1
主权项 1.一种基板清洁装置,供与一材料涂布装置及一光学制程机台配合使用,该基板清洁装置包含:一出气装置,包含一气体出口,其中该出气装置系设置对应于该材料涂布装置之一前导端;以及一气体供应装置,适于提供气体至该出气装置。2.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该气体供应装置包含一气体加压装置。3.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该气体出口系为细长出气缝。4.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该出气装置包含第一气槽,该第一气槽系连通该气体出口,该第一气槽之内径系大于该气体出口之宽度。5.如申请专利范围第4项所述之基板清洁装置,其中该出气装置另包含第二气槽及一连接通道,该第二气槽藉由该连接通道连通该第一气槽,使该第一气槽位于该第二气槽及该气体出口之间,其中该连接通道之宽度系小于该第二气槽之内径。6.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该气体出口系与该材料涂布装置并列。7.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该出气装置适于与该材料涂布装置连动。8.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该出气装置适于相对于该材料涂布装置移动。9.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该出气装置适于相对该光学制程机台移动。10.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,其中该出气装置之出气方向系与该光学制程机台夹一角度。11.如申请专利范围第1项所述之基板清洁装置,另包含一气体回收装置,该气体回收装置系对应该气体出口,使该气体出口位于该气体回收装置及该材料涂布装置之间。12.如申请专利范围第11项所述之基板清洁装置,其中该气体回收装置包含一抽气装置。13.如申请专利范围第11项所述之基板清洁装置,其中该气体回收装置系装设于该光学制程机台。14.如申请专利范围第13项所述之基板清洁装置,其中该气体回收装置包含一气体入口,该气体入口系低于该出气装置之气体出口。15.如申请专利范围第11项所述之基板清洁装置,其中该气体回收装置与该出气装置并列,并适于与该出气装置连动。16.一种光学制程设备,包含:一光学制程机台,该光学制程机台包含一基板座;一材料涂布装置,该材料涂布装置具有一前导端,该材料涂布装置适于相对该基板座移动;以及一基板清洁装置,包含:一出气装置,包含一气体出口,其中该出气装置系设置对应于该材料涂布装置之前导端;以及一气体供应装置,适于提供气体至该出气装置。17.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该气体供应装置包含一气体加压装置。18.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该气体出口系为细长出气缝。19.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该出气装置包含第一气槽,该第一气槽系连通该气体出口,该第一气槽之内径系大于该气体出口之宽度。20.如申请专利范围第19项所述之光学制程设备,其中该出气装置另包含第二气槽及一连接通道,该第二气槽藉由该连接通道连通该第一气槽,使该第一气槽位于该第二气槽及该气体出口之间,其中该连接通道之宽度系小于该第二气槽之内径。21.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该气体出口系与该材料涂布装置并列。22.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该出气装置系与该材料涂布装置连动。23.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该出气装置适于相对于该材料涂布装置移动。24.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该出气装置适于相对该基板台移动。25.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该出气装置之出气方向系与该基板台夹一角度。26.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该基板清洁装置另包含一气体回收装置,该气体回收装置系对应该气体出口,使该气体出口位于该气体回收装置及该材料涂布装置之间。27.如申请专利范围第26项所述之光学制程设备,其中该气体回收装置包含一抽气装置。28.如申请专利范围第26项所述之光学制程设备,其中该气体回收装置系装设于该光学制程机台。29.如申请专利范围第28项所述之光学制程设备,其中该气体回收装置包含一气体入口,该气体入口系低于该出气装置之气体出口。30.如申请专利范围第26项所述之光学制程设备,其中该气体回收装置与该出气装置并列,并与该出气装置连动。31.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该材料涂布装置系包含一光罩材料涂布装置。32.如申请专利范围第16项所述之光学制程设备,其中该出气装置包含一风刀装置。33.一种光学制程方法,包含以下步骤:藉由一出气装置喷出一气体至一基板表面,藉以清洁该基板表面;以及涂布一光学材料至该基板表面。34.如申请专利范围第33项所述之光学制程方法,另包含以下步骤:回收喷出之气体。35.如申请专利范围第33项所述之光学制程方法,其中该气体喷出步骤包含:使该出气装置与该基板表面产生相对位移。图式简单说明:图1为习知光学制程设备之示意图;图2为本发明光学制程设备之实施例示意图;图3为本发明光学制程设备实施例之剖面示意图;图4为本发明光学制程设备实施例之俯视图;图5为本发明光学制程设备另一实施例之俯视图;图6为出气装置实施例之横剖面示意图;图7为出气装置实施例之纵剖面示意图;图8为本发明光学制程设备另一实施例之剖面示意图;图9为图8所示实施例之俯视图;图10为气体回收装置与出气装置连动之实施例剖面图;图11为本发明光学制程方法之实施例流程图。
地址 新竹市科学工业园区力行二路1号
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