减轻自我对准图案化蚀刻中之非对称轮廓

摘要

特别有助于改善自我对准图案化(SAP，Self-Aligned Pattern) 蚀刻制程的方法。在此种制程中，当欲蚀刻下伏层时，形成在间隔件层上的小面(facets)可能会在间隔件层下方的下伏层中造成不被期望的横向蚀刻。此会减损期望的垂直蚀刻形式。在至少两个步骤中执行下伏层的蚀刻，以及在该等蚀刻步骤之间形成钝化层或保护层，俾能使在初始蚀刻期间被部分蚀刻之下伏层的侧壁受到保护。在形成保护层之后，可继续进行下伏层之剩余部分的蚀刻。

主权项

一种自我对准图案化蚀刻方法，包含下列步骤：提供一基板，该基板具有形成在一或多个芯模之一侧壁上的间隔件，其中该等间隔件系形成在一下伏层上，且该等间隔件系由第一材料所制造，以及其中该下伏层系由第二材料所制造；移除该一或多个芯模，以使所产生之该等间隔件具有下列横剖面形状：于其中，第一侧壁为相对平坦，以及位于各自间隔件之相反侧上的第二侧壁经小面化而具有非平坦表面；藉由电浆蚀刻并使用该等间隔件作为遮罩以蚀刻该下伏层的第一部分；在该第一部分之蚀刻期间所产生之该下伏层的侧壁上沉积或成长一保护层，其中在该保护层的沉积或成长期间停止蚀刻；及藉由电浆蚀刻并使用该等间隔件作为遮罩以蚀刻该下伏层的剩余部分。