无空隙接触栓塞

摘要

一种用于形成接触栓塞的半导体器件制造工艺，包括在接触开口(24)中顺序淀积钛或钽接触层(30)、氮化钛阻挡层(40)和钨种籽层(50)。然后通过电镀铜层(60)从接触开口的底部表面向上填充接触孔(24)，由此在接触开口(24)中不形成空隙。通过CMP工艺移除任何多余的金属以形成接触栓塞(70)，其中CMP工艺可用于薄化或移除一个或多个接触/种籽/阻挡层(30、40、50)。

主权项

1.一种在半导体结构中形成接触栓塞的方法，包括：提供半导体结构；在所述半导体结构之上形成电介质层；形成穿过所述电介质层的接触开口以使下面的半导体器件中的接触区域暴露；将初始接触层淀积到所述接触开口中；将阻挡层淀积在所述初始接触层上并且淀积到所述接触开口中；将钨种籽层淀积在所述阻挡层上并且淀积到所述接触开口中；从所述接触开口的底部表面向上用金属材料填充所述接触开口；和通过向下抛光所述半导体结构至少到所述钨种籽层，来从所述接触开口外部移除任何多余的导电材料。