发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 개구부의 저부에 전극 패드로서 노출시킨 외부 접속 전극에 접속 툴을 이용하여도전체를 접속하는 경우에, 전극 패드의 면적을 확대하는 일 없이, 접속 툴의 선단이 개구부의 언저리에 접촉하는 것을 회피 가능한 구조를 제공한다. 반도체 소자층(7)과, 반도체 소자층(7)의 한쪽의 면측에, 복수의 배선층(13, 15, 17)과 복수의 층간 절연막(12, 14, 16, 18)에 의해 형성된 적층 배선부(11)와, 복수의 배선층중의 하나에 형성된 외부 접속 전극(17a)과, 외부 접속 전극(17a)의 표면을 노출시키는 상태로 반도체 소자층(7)으로부터 적층 배선부(11)에 걸쳐서 오목형상으로 형성된 개구부(22)를 구비하는 고체 촬상 장치의 구성으로 하여, 외부 접속 전극(17a)으로부터 먼 쪽의 개구경(d1)이, 외부 접속 전극(17a)에 가까운 쪽의 개구경(d2)보다 커지도록, 개구부(22)를 형성하였다.
申请公布号 KR101653834(B1) 申请公布日期 2016.09.02
申请号 KR20090100102 申请日期 2009.10.21
申请人 소니 주식회사 发明人 코바야시 히로타카;아키야마 켄타로;마츠시타 나오키;에자키 타카유키
分类号 H01L27/146 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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