高密度动态随机存取存储器(RAM)的槽式电容器的制造方法

摘要

动态单晶体管读/写存储单元采用槽式电容器，以增加电荷存储量。槽蚀刻在与N+位线相似的扩散N+电容器层的硅片表面上，然后在位线和电容器层上生长一层厚的氧化膜，而不是在槽中；在达到最大槽深的最终蚀刻之前，利用在部分蚀刻之后随之再生长一层氧化膜的方法来减小掏蚀的影响。电容器的阳(板)极是扩展到槽中，并在硅条的整个表面上构成场极电极隔层的一层多晶硅。难熔金属字线在多晶硅场极电极中的孔上构成存取晶体管的栅。

主权项

1、在一半导体基片表面上构成的动态存储单元，上述单元包括：在上述表面的沟道区上带有源-漏通路的存取晶体管，在沟道区上用一层薄栅氧化物分开的金属栅；包括表面上延长N+层的位线，晶体管的漏极是上述N+层的一个边；沿垂直于上述位线的表面延伸的金属字线，上述金属栅是该字线的一部分；用覆盖位线的厚的热场氧化膜与字线隔开的位线的N+层；位于上述表面上，包括蚀刻在表面上的槽和环绕槽的N+层的电容器区，用一层厚的热场氧化物覆盖上述N+层；热场氧化物层环绕槽，槽嵌在围绕它的N+层中；包括盖在覆盖电容区、位线和除晶体管沟道区之外的各区的表面上的导电层的场极电极，导电层还向下扩展到槽中构成电容器的阳极，在槽中用薄氧化膜与硅隔开。