VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON BEREICHEN MIT EINSTELLBARER, GLEICHFOERMIGER DOTIERUNG IN SILIZIUMKRISTALLSCHEIBEN DURCH NEUTRONENBESTRAHLUNG SOWIE VERWENDUNG DIESES VERFAHRENS ZUR HERSTELLUNG VON LEISTUNGSTHYRISTOREN
摘要
申请公布号
DE3511363(A1)
申请公布日期
1986.10.09
申请号
DE19853511363
申请日期
1985.03.28
申请人
SIEMENS AG
发明人
W. HAAS,ERNST;MARTIN,JOACHIM,DIPL.-ING.;MITLEHNER,HEINZ,DIPL.-PHYS.DR.;KUHNERT,REINHOLD,DIPL.-PHYS.DR.
