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<P>LA MEMOIRE, SELON L'INVENTION, EST DU TYPE A ACCES SELECTIF A CHARGE ACTIVE COMPORTANT DEUX DEMI-CELLULLES T, T, T, T FORMEES CHACUNE DE DEUX TRANSISTORS DE TYPES OPPOSES RETROCOUPLES. UN DES TRANSISTORS T, T DE CHAQUE DEMI-CELLULE EST MULTI-EMETTEURS, UN EMETTEUR E SERVANT AU COURANT DE MAINTIEN ET L'AUTRE E EST RELIE A UN CONDUCTEUR 15 DE SELECTION DE COLONNE. POUR EVITER QUE NE CIRCULE UN COURANT INVERSE RENTRANT DANS LE DEUXIEME EMETTEUR E LORSQUE LA CELLULE EST EN MODE NON SELECTIONNE, ON DISPOSE UNE DIODE D, D EN DERIVATION DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS MONO-EMETTEURS T, T.</P>
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