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<p>METODO PARA EL CRECIMIENTO DE PELICULAS EPITAXICAS DE COMPUESTOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE: A) CALENTAR A UN MATERIAL GENERADOR DEL GRUPO V EN ESTADO SOLIDO A 450JC, PARA PRODUCIR UNA CORRIENTE DE VAPOR DEL MISMO; B) DILUIR A LA CORRIENTE DE VAPOR DEL MATERIAL DEL GRUPO V CON HIDROGENO PARA EVITAR LA CONDENSACION DE LOS VAPORES DEL MISMO AL BAJAR LA TEMPERATURA EN DICHOS VAPORES; C) FORMAR UNA CORRIENTE DE VAPOR DEL MATERIAL DEL GRUPO III; D) CALENTAR AL SUBSTRATO ENTRE 475 Y 750JC Y E) CONFLUIR A LAS CORRIENTES DE VAPOR DE MATERIAL DEL GRUPO V Y DEL GRUPO III SOBRE EL SUBSTRATO, PARA DEPOSITAR A LOS MATERIALES CONTENIDOS EN DICHAS CORRIENTES SOBRE EL SUBSTRATO. EL MATERIAL DEL GRUPO III ES UN COMPUESTO ORGANOMETALICO COMO TRIMETILGALIO; EL MATERIAL DEL GRUPO V ES ARSENICO O ARSENIOSO DE GALIO Y EL SUBSTRATO ES UNA PASTILLA DE ARSENIOSO DE GALIO. SE UTILIZA PARA CUBRIR DISPOSITIVOS DE LATEX Y DIODOS EMISORES DE LUZ.</p> |
