| 发明名称 | 掺金硅互换热敏电阻 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散，当金和本底净杂质浓度之比为1～1.5时，形成稳定性好，B值为4000K～6000K，其均匀度优于0.1％的掺金硅热敏材料。利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻，经机械调值后，元件在-30～+50℃温区阻值互换精度为0.2％，高温(85℃)存放一年的稳定性优于0.3％。本发明可广泛地应用于工业、农业，尤其是医学、生物工程、化学等多方面的温度测量与控制。 | ||
| 申请公布号 | CN85102901A | 申请公布日期 | 1986.09.10 |
| 申请号 | CN85102901 | 申请日期 | 1985.04.01 |
| 申请人 | 中国科学院新疆物理研究所 | 发明人 | 阿帕尔;陶明德;陶国强 |
| 分类号 | H01C7/00 | 主分类号 | H01C7/00 |
| 代理机构 | 中国科学院新疆专利事务所 | 代理人 | 王蔚 |
| 主权项 | 1、掺金硅互换热敏电阻。是利用金在硅中的深能级热激发效应做成的单晶热敏电阻。其特征在于该热敏电阻的材料为扩散金形成的4000～6000B值的硅单晶热敏材料。 | ||
| 地址 | 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市二宫新疆物理研究所 | ||