| 发明名称 |
DIFFUSION BARRIER LAYER FOR INTEGRATED-CIRCUIT DEVICES. |
| 摘要 |
Le carbonitrure de titanium s'est révélé être un matériau efficace d'anti-diffusion que l'on peut utiliser dans des structures de métallisation pour dispositifs à circuit intégré MOS. Une couche du matériau (24) déposée sous de l'aluminium (22) empêche des interactions nuisibles entre l'aluminium et le silicium ou l'aluminium et le siliciure. |
| 申请公布号 |
EP0192646(A1) |
申请公布日期 |
1986.09.03 |
| 申请号 |
EP19850903616 |
申请日期 |
1985.07.03 |
| 申请人 |
AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY |
发明人 |
DEAN, ROBERT, EARL;STAROV, VLADIMIR |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/336;H01L23/532;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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