| 发明名称 |
PROCEDE DE FORMATION DE REGIONS DE SILICIUM ISOLEES ET DE DISPOSITIFS A EFFET DE CHAMP SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM |
| 摘要 |
<P>Procédé amélioré pour les transistors MOS et CMOS formés dans une couche de type épitaxial. On forme des régions d'oxyde de champ 14a, suivies du dépôt d'une couche de silicium polycristallin ou amorphe 20a qui entre en contact avec le substrat 10 au niveau de "fenêtres de germination" 24 formées entre les régions d'oxyde de champ. La couche de silicium est recristallisée à partir du substrat à travers les fenêtres de germination. Les transistors sont fabriqués dans la couche de silicium recristallisée. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/></P>
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| 申请公布号 |
FR2577348(A1) |
申请公布日期 |
1986.08.14 |
| 申请号 |
FR19860001495 |
申请日期 |
1986.02.04 |
| 申请人 |
INTEL CORP |
发明人 |
WILLIAM BAERG, CHIU H. TING ET TERENCE TAI-LI HWA;TING CHIU H;HWA TERENCE TAI-LI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/20;H01L21/263;H01L21/336;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/00;H01L27/06;H01L29/06;(IPC1-7):H01L21/82;H01L21/324;H01L29/76 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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