半导体集成电路器件及其制造方法

摘要

一半导体集成电路器件，在其内部电路的MOSFET的源和漏区是轻掺杂的漏结构，这是为了压制热载流子的出现。而在输入/输出电路中的MOSFET的源和漏区是具有高杂质浓度的掺磷结构，这是为了提高静电击穿电压的。

主权项

1、一半导体集成电路器件包括：一半导体衬底，一个第一导电型的第一种MOSFET是在上述的半导体衬底上形成的，並且具有一个源和漏区，该源和漏区包括一个高杂质浓度的第一半导体区和一个具有低于上述第一半导体区杂质浓度的第二半导体区，並比上述第一半导体区更加靠近沟道边；和一个第一个导电型的第二种MOSFET是在上述的半导体衬底上形成的。它具有一个源和漏区，该源和漏区包括一个具有比上述第二半导体区杂质浓度高的第三个半导体区，是用与上述第二和第二半导体区不同的工艺步骤形成的，上述第二MOSFET的上述源和漏区是与一个焊点相连接的。