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发明名称 OHMIC CONTACT FOR N-TYPE GaAs.
摘要 An improved multi-layer contact for N-type GaAs comprising discrete layers of germanium (21, 22), gold (23, 24), and nickel (25, 26).
申请公布号 EP0105324(A4) 申请公布日期 1986.07.24
申请号 EP19830901446 申请日期 1983.03.01
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 FRARY, JAMES M.
分类号 H01L29/80;H01L21/285;H01L21/58;H01L23/482;H01L29/43;H01L29/45;(IPC1-7):H01L23/48;H01L29/46 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
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