发明名称 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
摘要 一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉,该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组,螺旋管的衔铁做成炉壁的形状,同时作为整个炉体的炉壁,并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭结构,螺旋管由升降器支撑,可以相对坩埚做上下运动,拉晶时,坩埚位于由螺旋管所产生磁场的上端或下端具有喇叭形状的非线性区域,以获得对熔硅热对流的尽可能大的抑制效果,全封闭结构的炉壁兼作衔铁,使得用较小的直流功率源获得较大的磁场强度成为可能。
申请公布号 CN85100591A 申请公布日期 1986.07.02
申请号 CN85100591 申请日期 1985.04.01
申请人 哈尔滨工业大学;黑龙江省鹤岗市半导体材料厂 发明人 周士仁;孔庆茂;纪彦蜀;高元恺;王守雨;韩长林;付泽国
分类号 C30B15/00 主分类号 C30B15/00
代理机构 哈尔滨工业大学专利事务所 代理人 黄锦阳
主权项 1、一种在磁场中拉制单晶硅的方法。其特征在于所说磁场的上端[5]和下端[6]是呈向外张开的喇叭口形状,装有溶硅的坩埚[2]是放置于磁场的喇叭口处。
地址 黑龙江省哈尔滨市西大直街166号