Read-write memory and its use in a linear interpolation circuit.

摘要

La mémoire vive, integrable sur un substrat semiconducteur, est constituée de points mémoire dont chacun comporte une bascule RS ayant des entrées de donnée complémentaires (13) et des transistors (14, 18) permettant de forcer la bascule par celui de deux fils de donnée complémentaires qui est à un niveau déterminé lorsqu'un fil de sélection (16) est à un premier niveau déterminé. La bascule est reliée à un fil de sortie (24) par des moyens (20, 22) permettant de maintenir le fil de sortie au niveau haut aussi longtemps que le fil de sélection (16) est au premier niveau et de mettre de fil de sortie au niveau correspondant à l'état de la bascule lorsque le fil de sélection est amené à l'autre niveau.