Process for the bubble-free bonding of a large-area semiconductor component to a substrate by soldering.

摘要

Ein großflächiges Halbleiter-Bauelement (1) wird mittels Löten mit einem Substrat (2) blasenfrei verbunden, indem zwischen das Lot (3) vor dem Löten und das Substrat (2) eine durchbrochene metallische Zwischenlage (5) gelegt und das Ganze unter Druck senkrecht zur Lötebene auf Löttemperatur gebracht wird. Dabei füllt das Lot (4) nach dem Löten die Hohlräume zwischen den Bauteilen (1, 2) und (5) vollständig aus und treibt Gasblasen und allfällige Verunreinigungen an die Peripherie des Ganzen, wobei ein konstanter Abstand zwischen dem Halbleiter-Bauelement (1) und dem Substrat (2) gewahrt wird. Bevorzugte Ausbildung der Zwischenlage (5) als strukturierte Folie oder als Metallgewebe.