Method and arrangement for determining the weak points within an electrical integrated circuit.

摘要

Mit einem Verfahren zur Lokalisierung von Schwachstellen (S) im Innern einer elektrischen Schaltung (IC), bei dem die zu testende elektrische Schaltung (IC) mit einem Flüssigkristall (LC) bedeckt und auf eine Temperatur knapp unterhalb des Klärpunktes des Flüssigkristalls (LC) aufgeheizt wird, und bei dem bei einem Temperaturanstieg der Flüssigkristall (LC) in den ungeordneten Zustand übergeht, sollen Leckstromkanäle im Innern von integrierten Schaltungen vollständig lokalisiert werden können. Durch Bestrahlung eines räumlichen Bereichs wird an diesem räumlichen Bereich durch Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren im Innern der elektrischen Schaltung (IC) wenigstens ein Strom hervorgerufen, der einen Temperaturanstieg an wenigstens einer Schwachstelle (S) der elektrischen Schaltung (IC) verursacht.