PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE ET TRANSISTOR AINSI OBTENU

摘要

PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET A GRILLE ISOLEE, QUI CONSISTE A PARTIR D'UNE PASTILLE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT UNE REGION DE DRAIN D'UN PREMIER TYPE DE CONDUCTIVITE CONTIGUE A UNE SURFACE DE LA PASTILLE, A FAIRE DIFFUSER UNE REGION DE CORPS D'UN SECOND TYPE DE CONDUCTIVITE DANS LA PASTILLE A PARTIR D'UNE PORTION DE LA SURFACE AFIN DE FORMER UNE JONCTION PN CORPSDRAIN, ET A FAIRE DIFFUSER UNE REGION DE SOURCE D'UN PREMIER TYPE DE CONDUCTIVITE DANS LA FRONTIERE DE LA REGION DE CORPS, AFIN DE FORMER UNE JONCTION PN SOURCECORPS QUI S'ETEND JUSQU'A UNE PROFONDEUR PREDETERMINEE A PARTIR DE LA SURFACE DE LA PASTILLE, LADITE JONCTION SOURCECORPS ETANT ESPACEE DE LADITE JONCTION CORPSDRAIN AFIN DE DEFINIR UNE REGION DE CANAL DANS LA REGION DE CORPS, A LA SURFACE, CE PROCEDE ETANT CARACTERISE EN CE QU'ON FORME DE L'ALUMINIUM SUR LADITE SURFACE DE LA PASTILLE POUR QU'IL VIENNE AU CONTACT DE LA JONCTION SOURCECORPS A LADITE PROFONDEUR DETERMINEE, AFIN D'EMPECHER UNE POLARISATION DIRECTE DE LA JONCTION PN SOURCECORPS PENDANT LE FONTIONNEMENT DU DISPOSITIF.